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高压MOS功放运算ESD

MOSFETs(MOS 管)
封裝:SOT-23
型号:AO3401
30V P-Channel MOSFET
VDS (V) = -30V
ID = -4.2 A (VGS = -10V)
二极管
封裝:SMAF
型號:SS14
反向耐压VR:40V
平均整流电流IF:1A
正向压降VF:450mV @ 1A
ESD protection
封装规格: SLP2510P8
型号: RClamp0524
峰值脉冲电流(10/1000us):5A (8/20us)
箝位电压:15V
击穿电压(最小值):6V
达林顿晶体管阵列驱动
封装规格: SOIC-16
型号:ULN2003ADR
500-mA-Rated Collector Current (Single Output)
High-Voltage Outputs: 50 V
Relay-Driver Applications
应用信息

坚持‘以诚待人,以信立企’,秉承“全面超越用户需求”

关于我们

博越半导体专注于MOSFET、分立器件和逻辑器件设计,制造。博越半导体十分注重效率,生产大批量性能可靠稳定的半导体元件:年产量超过10亿件。公司拥有丰富的产品组合,能够满足各行业严格的标准要求。我们自主生产业内领先的小型封装,集能效、热效率与出众品质于一体。博越半导体以专业知识为根基,为全球客户提供支持。【详情】

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